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    HBM、MM測(cè)試儀本產(chǎn)品可進(jìn)行器件級(jí)ESD測(cè)試,包括CDM測(cè)試??蓱?yīng)用于器件開(kāi)發(fā)評(píng)價(jià)、器件認(rèn)證和進(jìn)廠(chǎng)測(cè)試、評(píng)價(jià)、使用環(huán)境評(píng)價(jià)等各種試驗(yàn)用途。

  • 日本HBM測(cè)試儀
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上海途哲電子設(shè)備有限公司,是一家提供測(cè)試與測(cè)量綜合解決方案的專(zhuān)業(yè)的測(cè)試儀器綜合供應(yīng)商。專(zhuān)注于為用戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)和高性?xún)r(jià)比的儀器儀表的購(gòu)買(mǎi)、維護(hù)、租賃、售后技術(shù)支持等各項(xiàng)服務(wù);并且致力于為客戶(hù)提供高附加價(jià)值的系統(tǒng)集成、各種解決方案。公司擁有自主的技術(shù)咨詢(xún)、服務(wù)及第三方檢測(cè)能力,目前銷(xiāo)售及提供服務(wù)的品牌如羅德與施瓦茨、是德、蔡司、ADVANTEST、日立、泰克、力科、橫河、TOYO、RIKEN、PHOTRON、NOISEKEN、TET、TESEQ、EMCPARTNER,SCHLODER,INFREC等;...
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2026年1月26日 EMKU環(huán)境測(cè)試箱(結(jié)露)濕熱交變?cè)囼?yàn)箱的專(zhuān)用操作注意事項(xiàng)

EMKU環(huán)境測(cè)試箱是專(zhuān)門(mén)用于模擬濕熱交變環(huán)境的測(cè)試設(shè)備,其操作需要特別注意安全性和規(guī)范性。在開(kāi)機(jī)前,必須檢查設(shè)備電源連接是否牢固,接地是否可靠,確保設(shè)備處于安全狀態(tài)。檢查加濕水箱水位是否在正常范圍內(nèi),必須使用純凈水或蒸餾水,避免使用自來(lái)水導(dǎo)致水垢堵塞管路。檢查箱內(nèi)是否有異物,確保測(cè)試空間清潔。測(cè)試樣品放置時(shí),需要遵循均勻分布原則,避免樣品過(guò)于密集影響氣流循環(huán)。樣品與箱壁之間應(yīng)保持一定距離,一般不小于100mm,確??諝饬魍槙场?duì)于發(fā)熱樣品,需要根據(jù)發(fā)熱量調(diào)整放置位置和數(shù)量,...

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2025年12月22日 聚焦離子束電鏡測(cè)試常見(jiàn)加工缺陷與優(yōu)化策略探討?

聚焦離子束電鏡測(cè)試將高能離子束用于材料微納加工(刻蝕、沉積、切割)與SEM成像結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)截面制備、透射電鏡(TEM)薄片加工、電路修補(bǔ)與三維重構(gòu)。但在加工過(guò)程中易出現(xiàn)多種缺陷,影響樣品質(zhì)量與分析準(zhǔn)確性,必須針對(duì)性?xún)?yōu)化。一、常見(jiàn)加工缺陷?溝槽側(cè)壁傾斜與波紋?離子束入射角與束流分布不均,或樣品表面不平整,會(huì)導(dǎo)致刻蝕溝槽側(cè)壁呈斜坡或出現(xiàn)周期性波紋,影響截面平直度。表面損傷層與再沉積?高能離子轟擊產(chǎn)生晶格損傷、非晶化或雜質(zhì)注入;刻蝕產(chǎn)生的碎屑可能再沉積在側(cè)壁或底部,遮蔽結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。熱...

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2025年11月25日 SEM掃描電鏡檢測(cè)入門(mén)指南:從樣品制備到圖像解讀

SEM掃描電鏡檢測(cè)因其高分辨率、大景深和直觀(guān)的微觀(guān)形貌呈現(xiàn)能力,成為材料、生物、地質(zhì)等領(lǐng)域關(guān)鍵的分析工具。但對(duì)于初學(xué)者而言,從送樣到獲取可靠圖像,每一步都需嚴(yán)謹(jǐn)對(duì)待。本文簡(jiǎn)要梳理SEM檢測(cè)全流程關(guān)鍵要點(diǎn)。第一步:樣品制備——成敗在此一舉。導(dǎo)電性良好的金屬樣品可直接觀(guān)察;但非導(dǎo)電樣品(如陶瓷、塑料、生物組織)必須進(jìn)行表面導(dǎo)電處理,常用方法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真空模式。若忽略此步,將出現(xiàn)嚴(yán)重“荷電效應(yīng)”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外,樣品需牢固固定于樣品臺(tái),避...

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2025年10月24日 掌握4點(diǎn)原則入手輕松選擇ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡是材料科學(xué)、納米技術(shù)、半導(dǎo)體分析等領(lǐng)域觀(guān)測(cè)微納結(jié)構(gòu)(如原子排列、納米顆粒形貌)的核心工具。ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡以高分辨率、高穩(wěn)定性和智能操作著稱(chēng)。但面對(duì)復(fù)雜的技術(shù)參數(shù),選購(gòu)時(shí)掌握以下4點(diǎn)原則,可輕松匹配需求。一、分辨率:分辨率是衡量電鏡成像清晰度的關(guān)鍵參數(shù),直接影響能否觀(guān)察到納米級(jí)細(xì)節(jié)(如單個(gè)原子的排列、納米線(xiàn)的截面結(jié)構(gòu))。ZEISS場(chǎng)發(fā)射電鏡的分辨率通常分為“點(diǎn)分辨率”(理論較小可分辨兩點(diǎn)間距)和“實(shí)際成像分辨率”(實(shí)際樣品成像的清晰度)。對(duì)于常...

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2025年9月22日 提升國(guó)產(chǎn)環(huán)境箱測(cè)量精度的幾大操作秘籍

國(guó)產(chǎn)環(huán)境箱是材料性能測(cè)試、產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證的核心設(shè)備,其測(cè)量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性。對(duì)于專(zhuān)業(yè)用戶(hù)而言,掌握幾大操作秘籍,能有效提升環(huán)境箱的測(cè)量精度,讓設(shè)備發(fā)揮更大價(jià)值。一、校準(zhǔn)先行:環(huán)境箱的傳感器(溫度、濕度、壓力等)會(huì)隨時(shí)間漂移或受環(huán)境影響產(chǎn)生誤差。專(zhuān)家建議每3-6個(gè)月使用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量設(shè)備(如鉑電阻溫度計(jì)、精密露點(diǎn)儀)對(duì)箱內(nèi)參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn),校準(zhǔn)點(diǎn)需覆蓋常用測(cè)試范圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...

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2025年8月25日 LONGPEAK靜電放電發(fā)生器操作常見(jiàn)誤區(qū)及避免方法

LONGPEAK靜電放電發(fā)生器是模擬靜電放電場(chǎng)景、考核電子電氣產(chǎn)品抗靜電性能的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛用于家電、汽車(chē)電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的EMC測(cè)試。操作中若存在誤區(qū),易導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)失真、設(shè)備損壞,甚至引發(fā)安全隱患。以下梳理4類(lèi)常見(jiàn)誤區(qū)及對(duì)應(yīng)避免方法。?一、誤區(qū)一:忽視放電槍校準(zhǔn),直接開(kāi)展測(cè)試?部分用戶(hù)認(rèn)為“新設(shè)備無(wú)需校準(zhǔn)”,或長(zhǎng)期不校準(zhǔn)放電槍?zhuān)苯佑闷溥M(jìn)行測(cè)試。LONGPEAK靜電放電發(fā)生器的放電槍電極易因磨損、污染導(dǎo)致放電電流偏差,若不校準(zhǔn),可能將合格產(chǎn)品誤判為不合格,或遺漏真實(shí)抗...

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